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Structural effect on the resistive switching behavior of triphenylamine-based poly[azomethine]s 后印本

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摘要: Linear and hyperbranched poly(azomethine)s (PAMs)-based on tri- phenylamine moieties are synthesized and used as the functioning layers in the Ta/PAM/Pt resistive switching memory devices. Com- parably, the hyperbranched PAM with isotropic architecture and semi-crystalline nature shows enhanced memory behaviors with more uniform distribution of the HRS and LRS resistances.

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[V1] 2017-05-08 12:34:37 ChinaXiv:201705.00065V1 下载全文
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