MeV 129Xe19+引起GaN薄膜微结构和光学性能变化机理研究
Change Mechanisms in Microstructures and Optical Properties of GaN Films Induced by MeV 129Xe19+ Ions
摘要: GaN薄膜因其优异的光电性能和结构稳定性被广泛应用于航空航天、核工业等辐射环境中。载能离子对GaN薄膜的辐照效应有待澄清。本文通过高分辨率X射线衍射(HRXRD)和紫外-可见(UV-Vis)光谱分析技术，研究不同剂量的8 MeV 129Xe19+引起GaN薄膜微结构、晶格应变、透射率及禁带宽度随剂量的变化规律。HRXRD结果显示，低剂量129Xe19+离子引起GaN薄膜动态退火修复，衍射峰半高宽变窄。随着辐照剂量的增加，衍射峰劈裂、逐渐向小角度偏移且半高宽展宽，表明较高剂量辐照导致GaN薄膜晶格畸变膨胀且损伤的晶面层生成。此外，通过分析GaN薄膜晶格应变与衍射层的厚度发现，衍射层厚度随剂量先略微增大而后减小，逐渐增加的应变引起了GaN晶格的扭曲和畸变。UV-Vis结果表明，透射率随离子剂量的增加先略微增大而后逐渐减小，同时，禁带宽度随剂量从3.40 eV先增大到3.42 eV而后减少至3.19 eV，且较大剂量辐照后，在450 nm(约2.75 eV)附近出现明显的吸收峰。
版本历史
| [V1] |
2024-12-25 19:17:54 |
ChinaXiv:202412.00335V1
|
下载全文 |
相关信息
待评议
点击量
下载量
